晶圆背磨砂轮
半导体封装时,第一步需将晶圆进行背面减薄加工,减薄厚的晶圆再进行切割及灌胶等作业。减薄时钻石砂轮密需保证在粗精磨时保持稳定的研磨速率和表面加工质量,以保证晶圆厚度一致性,从而确保高的封装良率。
用途:硅晶圆和半导体化合物晶圆的背面减薄加工。
特点:
- 独特的结合剂设计保证及制作工艺稳定的切削速度。
- 良好的自锐性降低研磨阻力,降低破片风险。
- 精确的钻石分级和生产控制严格的保证减薄后晶圆的表面质量的稳定性。
- 通过当地化生产,我们可以提供高性价比的产品。
粒度
D(mm)
W(mm)
X(mm)
H(mm)
#325
(D54/80)
|
#8000
(D2/4)
Ø200
|
Ø400
2~5
5
155
158
190
235
亦可依据客人提供资料、图面等资讯进行客制。